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2N1026

更新时间: 2024-01-27 22:14:26
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NJSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 224K
描述
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR

2N1026 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.38最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):18JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1

2N1026 数据手册

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