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2KBP10M

更新时间: 2024-01-15 00:23:07
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NJSEMI 二极管
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1页 114K
描述
2.0AMPERE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE

2KBP10M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.05其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-W4最大非重复峰值正向电流:63 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

2KBP10M 数据手册

  

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