NJG1302V

更新时间： 2024-01-12 09:50:56

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描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER GaAs MMIC

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NJG1302V 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP14,.25
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	29 dB
最大输入功率 (CW)：	3 dBm	JESD-609代码：	e6
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	14	最大工作频率：	1920 MHz
最小工作频率：	1890 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP14,.25	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	205 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大电压驻波比：	2.2	Base Number Matches：	1

NJG1302V 数据手册

NJG1302V

MEDIUM POWER AMPLIFIER GaAs MMIC

nGENERAL DESCRIPTION

nPACKAGE OUTLINE

NJG1302V is a GaAs MMIC designed mainly for the

final stage power amplifier of Japanese PHS handset,

but suitable digital wireless phone and wireless LAN.

This amplifier has wide variable gain capability of 20dB

dynamic range.

NJG1302V has input and output matching circuits

internally and features low voltage and high efficiency

operation. The output power of 21dBm is easily available

with very low distortion.

NJG1302V

nFEATURES

lVoltage gain under low distortion

lLow voltage operation

lLow current consumption

lHigh gain

+3.0V typ.

195mA typ. @f= 1.9GHz, P_out= 21dBm

32dB

lLow distortion(ACP)

-60dBc typ. @f= 1.9GHz, P_OUT= 21dBm

lReduction of Parasitic oscillation

lInput and output internal matching circuit

lPackage

SSOP14

nPIN CONFIGURATION

V Type

(Top View)

Pin Connection

1. RF_IN

8. RF_OUT

9. GND

10. V_DD1

11. GND

12. V_DD1

13. GND

14. GND

2. GND

3. V_GG1

4. GND

5. V_CONT

6. GND

7. V_GG2

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