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NGD8201N PDF预览

NGD8201N

更新时间： 2024-11-10 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
Ignition IGBT

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NGD8201N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.69
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：435 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）：7000 ns门极发射器阈值电压最大值：2.3 V
门极-发射极最大电压：15 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：14000 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：13000 ns标称接通时间 (ton)：11000 ns
Base Number Matches：1

NGD8201N 数据手册

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NGD8201N  
Ignition IGBT  
20 A, 400 V, N−Channel DPAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
http://onsemi.com  
20 Amps  
400 Volts  
VCE(on) = 1.3 V @  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
Features  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• DPAK Package Offers Smaller Footprint for Increased Board Space  
• Gate−Emitter ESD Protection  
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
C
Stress Applied to Load  
• Integrated ESD Diode Protection  
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
R
G
G
• Low Saturation Voltage  
R
GE  
• High Pulsed Current Capability  
• Optional Gate Resistor (R ) and Gate−Emitter Resistor (R  
)
G
GE  
E
Applications  
• Ignition Systems  
MARKING  
DIAGRAM  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
YWW  
NGD  
8201N  
2
1
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
440  
Unit  
V
3
V
CES  
V
CER  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 7  
440  
V
NGD8201N= Device Code  
V
"15  
V
GE  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
Collector Current−Continuous  
I
20  
50  
A
DC  
A
AC  
C
@ T = 25°C − Pulsed  
C
ORDERING INFORMATION  
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
G
G
†
Device  
NGD8201NT4  
Package  
Shipping  
Transient Gate Current (t ≤ 2 ms,  
f ≤ 100 Hz)  
DPAK  
2500 / Tape & Reel  
ESD (Charged−Device Model)  
ESD  
ESD  
2.0  
kV  
kV  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
ESD (Human Body Model)  
R = 1500 W, C = 100 pF  
8.0  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
125  
0.83  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to +175  
°C  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 4  
NGD8201N/D  
12345678

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