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NFT1N60

更新时间： 2024-09-18 18:09:19

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描述
N-Channel MOSFET

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NFT1N60 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

NFT1N60

Unit:mm

SOT-223

6.50±0.2

3.00±0.1

■ Features

● VDS (V) = 600V

● ID = 0.4 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 7.9Ω (VGS = 10V)

● High switching speed

0.250

2.30 (typ)

0.84 (max)

Gauge Plane

● Improved dv/dt capability

0.66 (min)

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Drain

4.60 (typ)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

600

±30

0.4

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

1.6

Single Pulse Avalanche Energy

3.3

Tc = 25℃

Power Dissipation

0.026

37.9

150

Derate above 25℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Junction Temperature

W/℃

℃/W

θJA

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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