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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-254Z |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NESM230 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NESM238AT | NICHIA |
获取价格 |
Triple Color LED, |
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| NESM240Z | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| NESM250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NESM250Z | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NESMC07T | ETC |
获取价格 |
LED |
|
| NESR505DT | NICHIA |
获取价格 |
TYPE RED LED |
|
| NESSCAP | ETC |
获取价格 |
Ultracapacitor |
|
| NESW005T | NICHIA |
获取价格 |
TYPE WHITE LED |
|
| NESW007AT | NICHIA |
获取价格 |
TYPE WHITE LED |
|
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