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UPG138GV-E1

更新时间： 2024-01-13 05:13:20

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	66K
描述
L-BAND SPDT SWITCH

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UPG138GV-E1 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	35.05 dBm
最大插入损耗：	0.9 dB	最大工作频率：	2000 MHz
最小工作频率：	100 MHz	最高工作温度：	80 °C
最低工作温度：	-50 °C	射频/微波设备类型：	SPDT
Base Number Matches：	1

UPG138GV-E1 数据手册

DATA SHEET

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

PPG138GV

L-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION

The PPG138GV is L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital

mobile communication system.

It housed in an very small 8-pin SSOP that is smaller than usual 8-pin SOP and easy to install and contributes to

miniaturizing the system.

FEATURES

•

Maximum transmission power : +35 dBm min. (@ V^CONT= ð5 V/0 V: PPG138GV)

+34 dBm typ. (@ V^CONT= ð3 V/0 V: PPG138GV)

•

Low insertion loss

: 0.55 dB typ. (@ 1 GHz)

0.65 dB typ. (@ 2 GHz)

APPLICATION

•

Digital Cellular : GSM, PDC, PCN etc.

PHS Base Station, PCS etc.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

8-pin plastic SSOP (175 mil)

PACKING FORM

PPG138GV-E1

Carrier tape width 12 mm Qty 2 kp/Reel.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

PARAMETERS

Control Voltage 1, 2

SYMBOL

V^{CONT1, 2}

Pⁱⁿ

RATINGS

ð6.0 to +0.6

+36

UNIT

Input Power (V^CONT= ð5 V)

Input Power (V^CONT= ð3 V)

Total Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

dBm

Pⁱⁿ

+34

P^tot

0.7

T^opt

ð50 to +80

ð65 to +150

°C

T^stg

°C

Document No. P13058EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. P11508EJ1V0DS00)

Date Published December 1997 N CP(K)

Printed in Japan

1996

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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