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2SK1272

更新时间: 2024-01-18 22:06:32
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日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
6页 404K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SK1272 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:GATE PROTECTED, HIGH INPUT IMPEDANCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.75 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1272 数据手册

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