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2SK1133-T1B

更新时间: 2024-02-02 07:29:25
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 366K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SK1133-T1B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MM
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

2SK1133-T1B 数据手册

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