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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.37 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ331-A | NEC | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ332(L) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332(S) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA |
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| 2SJ332(S)TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332(S)TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332L | ETC |
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