是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MP-45F | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.36 | 雪崩能效等级(Eas): | 490 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ330 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
获取价格 |
|
2SJ330(0)-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220VAR |
获取价格 |
|
2SJ330-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
2SJ331 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
获取价格 |
|
2SJ331-A | NEC | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
2SJ332(L) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |