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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-63 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.42 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ327-Z-E1 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ327-Z-E1 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ328 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ328-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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