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2SJ326-Z

更新时间: 2024-01-28 09:01:57
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日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 389K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

2SJ326-Z 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MP-3Z包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.45外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.37 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ326-Z 数据手册

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