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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-63 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ325-Z | NEC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ325-Z-AZ | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ325-Z-E1 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ325-Z-E2 | RENESAS | 2SJ325-Z-E2 |
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| 2SJ325-Z-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ325-ZK-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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