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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 16 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ208-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 16V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-ox |
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| 2SJ208-T1 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ208-T1-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),SC-62 |
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| 2SJ208-T2 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,16V V(BR)DSS,2A I(D),SC-62 |
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| 2SJ209 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 2SJ209 | KEXIN | MOS Fied Effect Transistor |
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