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2SJ180

更新时间: 2024-01-23 08:51:36
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日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 376K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SJ180 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.76
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):3 pF
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ180 数据手册

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