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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SJ166

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2SJ166

更新时间： 2024-01-21 15:53:38

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管输入元件
页数	文件大小	规格书
6页	352K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

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2SJ166 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ166 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ166-A	RENESAS	100mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
2SJ166-L-AT	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346	获取价格
2SJ166-T1B	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ166-T2B	NEC	暂无描述	获取价格
2SJ166-T2B	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346	获取价格
2SJ167	TOSHIBA	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS)	获取价格

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