NE960R575-A

更新时间： 2024-10-02 13:00:31

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日电电子 - NEC		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
12页	63K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, 75, 2 PIN

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NE960R575-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	9 V	最大漏极电流 (ID)：	0.7 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE960R575-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

N-CHANNEL GaAs MES FET

NE960R5 SERIES

0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE960R5 Series are 0.5 W GaAs MES FETs designed for middle power transmitter applications for X, Ku-

band microwave communication systems. It is capable of delivering 0.5 watt of output power (CW) with high linear

gain, high efficiency and low distortion and are suitable as driver amplifiers for our X, Ku-band NEZ Series amplifiers

etc. The NE961R500 and the NE960R500 are available in chip form. The NE960R500 has a via hole source

grounding and PHS (Plated Heat Sink) for superior RF performance. The NE960R575 and the NE962R575 are

available in a hermetically sealed ceramic package. The NE962R575 is suitable for oscillator application. Reliability

and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES

•

High Output Power

High Linear Gain

: P^{o (1 dB)}= +27.5 dBm TYP.

: 9.0 dB TYP.

High Power Added Efficiency: 30 % TYP. @V^DS= 9 V, I^Dset= 180 mA, f = 14.5 GHz

ORDERING INFORMATION

Part Number

NE960R500

Package

Supplying Form

00 (CHIP)

ESD protective envelope

NE961R500

NE960R575

NE962R575

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.

(Part number for sample order: NE960R500, NE960R575, NE961R500, NE962R575)

Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive

device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P14387EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 1999 N CP(K)

Printed in Japan

1999

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE961R200	NEC	获取价格	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R500	NEC	获取价格	0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE962R575	NEC	获取价格	0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE97733	NEC	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97733-T1	NEC	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97733-T1B-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, PNP, LEAD FREE
NE97833	NEC	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833	CEL	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1	NEC	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1B-A	CEL	获取价格	PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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