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NE57814DD,518

更新时间： 2024-11-26 14:54:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	196K
描述
IC BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOT-786-2, HSOP-8, Bus Terminator

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NE57814DD,518 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3.90 MM, PLASTIC, SOT-786-2, HSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.8	差分输出：	NO
接口集成电路类型：	BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	4.9 mm
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HLSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	1.6 V	标称供电电压：	2.5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

INTEGRATED CIRCUITS

NE57814

DDR memory termination regulator with

standby mode and enhanced efficiency

Product data

2003 Apr 03

Supersedes data of 2003 Jan 22

Philips

Semiconductors

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE57814DD/G,518	NXP	获取价格	NE57814 - DDR memory termination regulator with standby mode and enhanced efficiency SOIC
NE57814DD118	NXP	获取价格	BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PDSO8
NE57835	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 11V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-173
NE57835-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE57835-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE578D	PHILIPS	获取价格	Compander, BIPolar, PDSO16,
NE578D	YAGEO	获取价格	Compander, 1 Func, 0.02MHz Band Width, PDSO16
NE578D	NXP	获取价格	IC COMPANDER, PDSO16, Analog Computational Function
NE578D-T	YAGEO	获取价格	Compander, 1 Func, 0.02MHz Band Width, PDSO16
NE578N	PHILIPS	获取价格	Compander, BIPolar, PDIP16,