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NE57811S/N1,518

更新时间： 2024-11-26 14:54:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		双倍数据速率接口集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	140K
描述
NE57811 - Advanced DDR memory termination power with shutdown

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NE57811S/N1,518 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	PLASTIC, SOT-756, 5 PIN
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.68	差分输出：	NO
接口集成电路类型：	BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PSSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	9.395 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-263	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.03 mm
最大供电电压：	3.6 V	最小供电电压：	1.6 V
标称供电电压：	2.5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.7 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

INTEGRATED CIRCUITS

NE57811

Advanced DDR memory termination power

with shutdown

Product data

2003 Apr 02

Supersedes data of 2002 Jul 16

Philips

Semiconductors

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE57811S,518	NXP	完全替代	NE57811 - Advanced DDR memory termination power with shutdown

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE57814	NXP	获取价格	DDR memory termination regulator with standby mode and enhanced efficiency
NE57814DD	NXP	获取价格	DDR memory termination regulator with standby mode and enhanced efficiency
NE57814DD,518	NXP	获取价格	IC BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOT-786-2, HSOP-8, Bus Termina
NE57814DD/G,518	NXP	获取价格	NE57814 - DDR memory termination regulator with standby mode and enhanced efficiency SOIC
NE57814DD118	NXP	获取价格	BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PDSO8
NE57835	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 11V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-173
NE57835-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE57835-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE578D	PHILIPS	获取价格	Compander, BIPolar, PDSO16,
NE578D	YAGEO	获取价格	Compander, 1 Func, 0.02MHz Band Width, PDSO16