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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | , | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 模拟集成电路 - 其他类型： | COMPANDER |
| 标称带宽： | 0.02 MHz | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE57800 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
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| NE57807 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-100VAR |
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| NE57810 | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with external reference in |
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| NE57810S | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with external reference in |
|
| NE57810S/N1 | NXP |
获取价格 |
IC IC,POWER CONTROL/MANAGEMENT,SIP,5PIN,PLASTIC, Bus Terminator |
|
| NE57810S/N1,518 | NXP |
获取价格 |
NE57810 - Advanced DDR memory termination power with external reference voltage in |
|
| NE57810S-T | NXP |
获取价格 |
BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PSSO5 |
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| NE57810TK | NXP |
获取价格 |
IC BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, Bus Terminator |
|
| NE57811 | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with shutdown |
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| NE57811S | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with shutdown |
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