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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SOP, SOP20,.4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | 模拟集成电路 - 其他类型： | COMPANDER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP20,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Analog Computational Functions | 最大供电电流 (Isup)： | 2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE577N | NXP |
获取价格 |
Unity gain level programmable low power compandor |
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| NE577N | YAGEO |
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Compander, 1 Func, 0.02MHz Band Width, PDIP14 |
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| NE57800 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
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| NE57807 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-100VAR |
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| NE57810 | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with external reference in |
|
| NE57810S | NXP |
获取价格 |
Advanced DDR memory termination power with external reference in |
|
| NE57810S/N1 | NXP |
获取价格 |
IC IC,POWER CONTROL/MANAGEMENT,SIP,5PIN,PLASTIC, Bus Terminator |
|
| NE57810S/N1,518 | NXP |
获取价格 |
NE57810 - Advanced DDR memory termination power with external reference voltage in |
|
| NE57810S-T | NXP |
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BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PSSO5 |
|
| NE57810TK | NXP |
获取价格 |
IC BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, Bus Terminator |
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