是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | PLASTIC, SOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 7.22 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 2 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 1.5 µA | 标称共模抑制比: | 100 dB |
频率补偿: | YES (AVCL>=3) | 最大输入失调电压: | 5000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 低-失调: | NO |
湿度敏感等级: | 1 | 负供电电压上限: | -22 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | RAIL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 标称压摆率: | 13 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 10 mA |
供电电压上限: | 22 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
标称均一增益带宽: | 10000 kHz | 最小电压增益: | 15000 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NE5534DR2G | ONSEMI |
完全替代 |
Single Low Noise Operational Amplifier | |
NE5534DG | ONSEMI |
完全替代 |
Single Low Noise Operational Amplifier | |
NE5534ADR2G | ONSEMI |
完全替代 |
Single Low Noise Operational Amplifier |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE5534DE4 | TI |
获取价格 |
LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
NE5534DG | ONSEMI |
获取价格 |
Single Low Noise Operational Amplifier | |
NE5534DG4 | TI |
获取价格 |
LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
NE5534DR | TI |
获取价格 |
LOW OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
NE5534DR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Single Low Noise Operational Amplifier | |
NE5534DR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single Low Noise Operational Amplifier | |
NE5534DRE4 | TI |
获取价格 |
LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
NE5534DRG4 | TI |
获取价格 |
LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
NE5534D-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 | |
NE5534D-T | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, |