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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE5510279A-T1
NE5510279A-T1 PDF预览

NE5510279A-T1

更新时间： 2024-01-25 18:00:56
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器射频场效应晶体管GSM
页数 文件大小 规格书
5页 42K
描述
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS

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NE5510279A-T1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：79A, 4 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (ID)：1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-XQMW-F4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE5510279A-T1 数据手册

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3.5 V OPERATION SILICON RF  
POWER MOSFET FOR GSM1800  
TRANSMISSION AMPLIFIERS  
NE5510279A  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
• HIGH OUTPUT POWER:  
32 dBm TYP at VDS = 3.5 V, IDQ = 400 mA,  
f = 1.8 GHz, PIN = 25 dBm  
• HIGH POWER ADDED EFFICIENCY:  
45% TYP at VDS = 3.5 V, IDQ = 400 mA,  
f = 1.8 GHz, PIN = 25 dBm  
PACKAGE OUTLINE 79A  
1.5 ± 0.2  
4.2 Max  
Source  
Source  
Drain  
Drain  
Gate  
Gate  
• HIGH LINEAR GAIN:  
10 dB TYP at VDS = 3.5 V, IDQ = 400 mA,  
f = 1.8 GHz, PIN = 10 dBm  
• SURFACE MOUNT PACKAGE:  
5.7 x 5.7 x 1.1 mm MAX  
0.4 ± 0.15  
5.7 Max  
0.8 Max  
3.6 ± 0.2  
• SINGLE SUPPLY:  
2.8 to 6.0 V  
Bottom View  
DESCRIPTION  
The NE5510279A is an N-Channel silicon power MOSFET  
specially designed as the transmission power amplifier for  
3.5 V GSM1800 handsets. Dies are manufactured using NEC's  
NEWMOS technology (NEC's 0.6 µm WSi gate lateral  
MOSFET) and housed in a surface mount package. This de-  
vice can deliver 32 dBm output power with 45% power added  
efficiency at 1.8 GHz under the 3.5 V supply voltage, or can  
deliver 31 dBm output power at 2.8 V by varying the gate  
voltage as a power control function.  
APPLICATIONS  
•
•
DIGITAL CELLULAR PHONES  
OTHERS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE5510279A  
79A  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
IGSS  
CHARACTERISTICS  
Gate to Source Leakage Current  
Drain to Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
UNITS  
MIN  
TYP  
-
MAX  
100  
100  
2.0  
-
TEST CONDITIONS  
nA  
nA  
V
-
-
VGSS = 6.0 V  
VDSS = 8.5 V  
IDSS  
-
VTH  
1.0  
-
1.35  
1.50  
0.27  
24  
VDS = 4.8 V, IDS = 1 mA  
gm  
Transconductance  
S
VDS = 4.8 V, IDS1 = 500 mA, IDS2 = 700 mA  
VGS = 6.0 V, VDS = 0.5 V  
IDSS = 10 A  
RDS(ON)  
BVDSS  
Drain to Source On Resistance  
Drain to Source Breakdown Voltage  
-
-
-
V
20  
-
California Eastern Laboratories  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NE5510279A-T1-A NEC RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic

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NE55102K+/-.25% VISHAY Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 102000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,

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NE5510379A-T1 RENESAS TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),BEAM LEAD

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