是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.02 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 3 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.03 A |
FET 技术: | HETERO-JUNCTION | 最高频带: | S BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 12.5 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE38018T2-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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NE38018-TI-67 | NEC |
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GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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NE38018-TI-68 | NEC |
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GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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NE3FAAH0-0-B | ETC |
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N e u t r i k ® P a r t N u m b e r G u i d |
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NE3FAH0-0-B | ETC |
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NE3FBH0-0-B | ETC |
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NE3MAAH0-0-B | ETC |
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NE3MAH0-0-B | ETC |
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NE-4 | MPSIND |
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E-BEAM GUN SWITCHING POWER SUPPLY |
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NE-4100 | MOXA |
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10/100 Mbps embedded serial device servers |
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