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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8536.69.40.40 | 风险等级： | 5.65 |
| 端子和端子排类型： | BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE24005000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE24006000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE24008000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| NE24009000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| NE24200 | NEC |
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C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
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| NE24200 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
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| NE24200_00 | NEC |
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ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET (SPACE QUALIFIED) |
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| NE24283B | NEC |
获取价格 |
ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET (SPACE QUALIFIED) |
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| NE24300 | CEL |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN |
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| NE243187 | CEL |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN |
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