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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE23383B
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NE23383B

更新时间： 2024-09-17 21:53:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 25K
描述
SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET (SPACE QUALIFIED)

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NE23383B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.02 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：X BANDJESD-30 代码：O-CRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：13 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE23383B 数据手册

 浏览型号NE23383B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE23383B的Datasheet PDF文件第3页 
SUPER LOW NOISE AMPLIFIER  
N-CHANNEL HJ FET  
NE23383B  
(SPACE QUALIFIED)  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
• SUPER LOW NOISE FIGURE:  
PACKAGE OUTLINE 83B  
NF = 0.35 dB TYP at f = 4 GHz  
1.88 ± 0.3  
• HIGH ASSOCIATED GAIN:  
GA = 15.0 dB TYP at f = 4 GHz  
1
• GATE LENGTH = LG = 0.3 µm  
• GATE WIDTH = WG = 280 µm  
• HERMETIC SEALED CERAMIC PACKAGE  
• HIGH RELIABILITY  
0.5 ± 0.1  
4
2
1.88 ± 0.3  
4.0 MIN (ALL LEADS)  
3
DESCRIPTION  
1.0 ± 0.1  
The NE23383B is a heterojunction FET that utilizes the  
heterojunction to create high mobility electrons. The device  
features mushroom shaped gate for decreased gate resis-  
tance and improved power handling capabilities. The mush-  
room gate structure also results in low noise figure and high  
associated gain. The device is housed in a rugged hermeti-  
cally sealed metal ceramic stripline package selected for  
industrial and space applications.  
1.45 MAX  
+0.07  
0.1  
-0.03  
APPLICATION  
• BEST SUITED FOR LOW NOISE AMPS STAGE AT  
C AND X BAND  
NEC's stringent quality assurance and test procedures assure  
the highest reliability and performance.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE23383B  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
NF  
Noise Figure at VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 4 GHz  
dB  
0.35  
0.45  
GA  
IDSS  
Associated Gain at VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 4 GHz  
Saturated Drain Current at VDS = 2 V, VGS = 0 V  
Gate to Source Cut off Voltage at VDS = 2 V, ID = 100 µA  
Transconductance at VDS = 2 V, ID = 10 mA  
dB  
mA  
V
13.0  
15  
15.0  
40  
80  
VGS(off)  
gM  
-0.2  
45  
-0.8  
70  
-2.0  
ms  
µA  
µA  
IGDO  
IGSO  
Gate to Drain Leakage Current at VGD = -3 V  
Gate to Source Leakage Current at VGS = -3 V  
0.5  
0.5  
10  
10  
California Eastern Laboratories  
123

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