是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIP, DIP8/24,.6 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.55 | Is Samacsys: | N |
模拟集成电路 - 其他类型: | DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE | 最大输入电压: | 72 V |
最小输入电压: | 36 V | 标称输入电压: | 48 V |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T24 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 32.26 mm | 最大负载调整率: | 0.5% |
功能数量: | 1 | 输出次数: | 1 |
端子数量: | 24 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
最大输出电压: | 15.75 V | 最小输出电压: | 14.25 V |
标称输出电压: | 15 V | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8/24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 7.25 mm | 子类别: | Other Analog ICs |
表面贴装: | NO | 技术: | HYBRID |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Bright Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大总功率输出: | 3 W | 微调/可调输出: | NO |
宽度: | 14.66 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE/SA5230 | ETC |
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Low Voltage Operational Amplifier | |
NE01002000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block | |
NE02003000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block | |
NE02006000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block | |
NE02008000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block | |
NE020214-07 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-39 | |
NE020214-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-39 | |
NE020320-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 750MA I(C) | STX-M3 | |
NE020320-28 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750MA I(C) | STX-M3 | |
NE020390-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 750MA I(C) | RFMOD |