NDS351N

更新时间： 2024-11-24 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	78K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS351N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	3.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.1 A	最大漏极电流 (ID)：	1.1 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDS351N 数据手册

March 1996

NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

1.1A, 30V. R_DS(ON)= 0.25W @ V_GS= 4.5V.

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process is especially tailored to

minimize on-state resistance. These devices are

particularly suited for low voltage applications in notebook

computers, portable phones, PCMCIA cards, and other

battery powered circuits where fast switching, and low

in-line power loss are needed in a very small outline

surface mount package.

Proprietary package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

Compact industry standard SOT-23 surface mount

package.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

NDS351N

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

± 1.1

(Note 1a)

± 10

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

P_D

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

250

°C/W

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDS351N Rev. E2

12 3 4 5 6

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NDS351N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS351N	ONSEMI	功能相似	N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.1A，250mΩ

与NDS351N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS351N/D87Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351N/L99Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351N/S62Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS352AP	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS352AP	TYSEMI	获取价格	SUPERSOT-3
NDS352AP	ONSEMI	获取价格	P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-30V，-0.9A，300mΩ
NDS352AP (KDS352AP)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
NDS352AP/D87Z	TI	获取价格	900mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS352AP/L99Z	TI	获取价格	900mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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