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NDS351AN-G

更新时间： 2024-11-25 20:04:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	127K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDS351AN-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

NDS351AN-G 数据手册

June 2003

NDS351AN

N-Channel, Logic Level, PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

1.4 A, 30 V.

R_DS(ON)= 160 mW @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 250 mW @ V_GS= 4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

Ultra-Low gate charge

These devices are particularly suited for low voltage

applications in notebook computers, portable phones,

PCMCIA cards, and other battery powered circuits

where fast switching, and low in-line power loss are

needed in a very small outline surface mount package.

Industry standard outline SOT-23 surface mount

package using proprietary SuperSOT^TM-3 design for

superior thermal and electrical capabilities

High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

1.4

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

P_D

0.46

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

R_qJA

°C/W

R_qJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

351A

NDS351AN

7’’

8mm

3000 units

NDS351AN Rev E(W)

Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与NDS351AN-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS351ANL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS351AN-OLDDIE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NDS351ANS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS351N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS351N	TYSEMI	获取价格	SUPERSOT-3
NDS351N	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.1A，250mΩ
NDS351N/D87Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351N/L99Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351N/S62Z	TI	获取价格	1100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS351ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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