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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.46 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS336P_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| NDS336PD87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS336PL99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS351AN | TYSEMI |
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SUPERSOT-3 |
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| NDS351AN | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS351AN | ONSEMI |
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N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，1.4A，160mΩ |
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| NDS351AN_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS351AND87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS351AN-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| NDS351ANL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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