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NDS332PL99Z

更新时间： 2024-11-25 21:18:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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NDS332PL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS332PL99Z 数据手册

June 1997

NDS332P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-1 A, -20 V, R_DS(ON)= 0.41 W @ V_GS= -2.7 V

R_DS(ON)= 0.3 W @ V_GS= -4.5 V.

These P-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance. These

devices are particularly suited for low voltage applications such as

notebook computer power management, portable electronics,

and other battery powered circuits where fast high-side

switching, and low in-line power loss are needed in a very small

outline surface mount package.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits. V_GS(th)< 1.0V.

Proprietary package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

Compact industry standard SOT-23 surface Mount

package.

________________________________________________________________________________

Asolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS332P

-20

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

±8

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-1

-10

Maximum Power Dissipation

0.5

P_D

(Note 1b)

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

°C/W

(Note 1)

NDS332P Rev. E

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS335	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS335N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS335N	TYSEMI	获取价格	SUPERSOT-3
NDS335N/D87Z	TI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS335N/L99Z	TI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS335N/S62Z	TI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS335N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS335ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS335NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS335NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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