NDS332P

更新时间： 2024-11-24 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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6页	81K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS332P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	3.33
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1043565	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SSOT-3	Samacsys Released Date：	2019-08-18 02:18:35
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS332P 数据手册

June 1997

NDS332P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-1 A, -20 V, R_DS(ON)= 0.41 W @ V_GS= -2.7 V

R_DS(ON)= 0.3 W @ V_GS= -4.5 V.

These P-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance. These

devices are particularly suited for low voltage applications such as

notebook computer power management, portable electronics,

and other battery powered circuits where fast high-side

switching, and low in-line power loss are needed in a very small

outline surface mount package.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits. V_GS(th)< 1.0V.

Proprietary package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

Compact industry standard SOT-23 surface Mount

package.

________________________________________________________________________________

Asolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS332P

-20

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

±8

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-1

-10

Maximum Power Dissipation

0.5

P_D

(Note 1b)

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

°C/W

(Note 1)

NDS332P Rev. E

12 3 4 5 6

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NDS332P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS332P_NL	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
NDS332P	ONSEMI	功能相似	P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-1A，0.41Ω
AO3403	AOS	功能相似	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NDS332P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS332P/D87Z	TI	获取价格	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS332P/L99Z	TI	获取价格	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS332P/S62Z	TI	获取价格	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS332P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
NDS332PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
NDS332PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
NDS335	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS335N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS335N	TYSEMI	获取价格	SUPERSOT-3
NDS335N/D87Z	TI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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