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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS332 | FAIRCHILD |
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P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDS332P | TYSEMI |
获取价格 |
SUPERSOT-3 |
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| NDS332P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDS332P | ONSEMI |
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P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-1A，0.41Ω |
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| NDS332P/D87Z | TI |
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1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| NDS332P/L99Z | TI |
获取价格 |
1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| NDS332P/S62Z | TI |
获取价格 |
1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| NDS332P_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| NDS332PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| NDS332PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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