是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
主体高度: | 5.07 mm | 主体长度或直径: | 4.2 mm |
通信标准: | STM-4 | 最长下降时间: | 0.3 ns |
光纤设备类型: | LASER DIODE EMITTER | JESD-609代码: | e0 |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT | 信道数量: | 1 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大工作波长: | 1340 nm | 最小工作波长: | 1280 nm |
标称工作波长: | 1310 nm | 上升时间: | 0.2 ns |
光谱宽度: | 1 nm | 电源电流: | 0.65 mA |
最大供电电压: | 1.3 V | 标称供电电压: | 1.1 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
最小阈值电流: | 25 mA | 传输类型: | DIGITAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NDL7103 | NEC |
获取价格 |
InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7111 | RENESAS |
获取价格 |
LASER DIODE | |
NDL7113 | NEC |
获取价格 |
InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7130D | RENESAS |
获取价格 |
LASER DIODE,1.48UM PEAK WAVELENGTH,CSC | |
NDL7130D | NEC |
获取价格 |
Laser Diode Emitter, 1450nm Min, 1490nm Max, Through Hole Mount, | |
NDL7130D1 | RENESAS |
获取价格 |
LASER DIODE,1.48UM PEAK WAVELENGTH,CSC | |
NDL7130D1 | NEC |
获取价格 |
Laser Diode Emitter, 1450nm Min, 1490nm Max, Through Hole Mount, | |
NDL7153 | NEC |
获取价格 |
InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7163 | NEC |
获取价格 |
InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7400PC | RENESAS |
获取价格 |
FIBER OPTIC LASER DIODE MODULE EMITTER, 1290-1330nm, PANEL MOUNT, THROUGH HOLE MOUNT, DIP, |