是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.89 |
主体高度: | 3.5 mm | 主体长度或直径: | 4.8 mm |
最长下降时间: | 0.3 ns | 光纤设备类型: | LASER DIODE EMITTER |
JESD-609代码: | e0 | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
信道数量: | 1 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大工作波长: | 1340 nm |
最小工作波长: | 1280 nm | 标称工作波长: | 1310 nm |
上升时间: | 0.2 ns | 光谱宽度: | 1 nm |
电源电流: | 0.6 mA | 最大供电电压: | 1.3 V |
标称供电电压: | 1.1 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最小阈值电流: | 25 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NDL7001L | NEC |
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1 310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE COAXIAL MODULE WITH SINGLE MODE FIBER | |
NDL7103 | NEC |
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InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7111 | RENESAS |
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LASER DIODE | |
NDL7113 | NEC |
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InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7130D | RENESAS |
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LASER DIODE,1.48UM PEAK WAVELENGTH,CSC | |
NDL7130D | NEC |
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Laser Diode Emitter, 1450nm Min, 1490nm Max, Through Hole Mount, | |
NDL7130D1 | RENESAS |
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LASER DIODE,1.48UM PEAK WAVELENGTH,CSC | |
NDL7130D1 | NEC |
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Laser Diode Emitter, 1450nm Min, 1490nm Max, Through Hole Mount, | |
NDL7153 | NEC |
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InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION | |
NDL7163 | NEC |
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InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION |