是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SC-82AB, SC-70, 4 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time: | 2 weeks | 风险等级: | 5.32 |
Is Samacsys: | N | 可调性: | FIXED |
最大回动电压 1: | 0.42 V | 标称回动电压 1: | 0.25 V |
最大绝对输入电压: | 6 V | 最大输入电压: | 6 V |
最小输入电压: | 4 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 2 mm |
最大电网调整率: | 0.02% | 最大负载调整率: | 0.04% |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
输出次数: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作温度TJ-Max: | 150 °C | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流 1: | 0.1 A |
最大输出电压 1: | 3.12 V | 最小输出电压 1: | 2.88 V |
标称输出电压 1: | 3 V | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | SOT-343R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 调节器类型: | FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR |
座面最大高度: | 1.1 mm | 子类别: | Other Regulators |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.3 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 最大电压容差: | 4% |
宽度: | 1.25 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NCP662SQ30T1 | ONSEMI |
完全替代 |
100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCP662SQ33T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP662SQ33T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP662SQ50T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP662SQ50T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ15T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ15T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ18T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ18T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ25T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator |