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NCP5355DR2

更新时间： 2024-09-24 20:33:51

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
11页	786K
描述
2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, SOIC-8

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NCP5355DR2 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.9 mm
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	功能数量：	1
端子数量：	8	标称输出峰值电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压：	13.2 V
最小供电电压：	9.2 V	标称供电电压：	12 V
电源电压1-最大：	26 V	电源电压1-分钟：	9.2 V
电源电压1-Nom：	12 V	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	断开时间：	0.055 µs
接通时间：	0.06 µs	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCP5355DR2G	ROCHESTER	获取价格	2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
NCP5355DR2G	ONSEMI	获取价格	12 V，同步降压功率 MOSFET 驱动器
NCP5355PDR2	ONSEMI	获取价格	12 V Synchronous Buck Power MOSFET Driver
NCP5355PDR2G	ONSEMI	获取价格	IC 2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, SOIC-8, MOSFET Driver
NCP5359	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems
NCP5359A	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems
NCP5359ADR2G	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems
NCP5359AMNR2G	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems
NCP5359AMNTBG	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems
NCP5359DR2G	ONSEMI	获取价格	Gate Driver for Notebook Power Systems