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NCEPB302G

更新时间： 2024-11-19 17:01:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
9页 533K
描述
????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品以高、低边的串联的方式集成至单个封装中。半桥产品可以简化系统复杂度，减少系统寄生参数，从而优化系统设计效率

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http://www.ncepower.com  
NCEPB302G  
30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEPB302G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOSFETs in a dual  
Power DFN5x6 package.  
Schematic Diagram  
General Features  
Q1 "High Side" MOSFET  
Q2 "Low Side" MOSFET  
● VDS =30V,ID =25A  
VDS =30V,ID =75A  
R
DS(ON) <8.1mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <4.4mΩ @ VGS=10V  
DS(ON)<11mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <5.6mΩ @ VGS=4.5V  
R
pin assignment  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb free terminal plating  
● RoHS compliant  
● Halogen free  
Application  
Top View  
Bottom View  
● Compact DC/DC converter applications  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
PB302G  
NCEPB302G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Q1  
30  
Q2  
30  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
±20  
±20  
V
VGS  
TC=25°C  
25  
75  
A
Drain Current-Continuous (Note 2)  
ID  
TC=100°C  
18  
80  
52  
A
Drain Current -Pulsed (Note 1)  
Power Dissipation  
320  
IDM  
PD  
TC=25°C  
28  
65  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
-55 To 150  
℃
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Typ  
4.2  
Max  
4.5  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2) (Q1)  
Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2) (Q2)  
RθJC  
1.7  
1.9  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEPB303GU NCEPOWER

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 		????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品
NCES075R026T NCEPOWER

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 		????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电
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NCE-SERIES ETC

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