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NCEP8814AS

更新时间： 2024-11-19 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 379K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP8814AS  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP8814AS uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
● VDS =88V,ID =14A  
RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
● 100% UIS tested  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
SOP-8 top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
4000 units  
NCEP8814AS  
NCEP8814AS  
SOP-8  
Ø330mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
88  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
14  
10  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
56  
A
Maximum Power Dissipation  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
3.5  
W
mJ  
℃
PD  
EAS  
230  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2)  
RθJA  
41.7  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP8818AS NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEPB302G NCEPOWER

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 		????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品
NCEPB303GU NCEPOWER

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 		????新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品
NCES075R026T NCEPOWER

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 		????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电
NCES075R026T4 NCEPOWER

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 		????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电
NCES120E032T4 NCEPOWER

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 		????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电
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