5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NCEP60T12A
NCEP60T12A PDF预览

NCEP60T12A

更新时间： 2024-11-19 17:00:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 393K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

阅读下载

中文翻译

获取价格

NCEP60T12A 数据手册

 浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCEP60T12A的Datasheet PDF文件第7页 
http://www.ncepower.com  
NCEP60T12A  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP60T12A uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
● VDS =60V,ID =120A  
RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS=10V (Typ:3.5mΩ)  
RDS(ON) < 5.0mΩ @ VGS=4.5V (Typ:4.0mΩ)  
● Excellent gate charge x RDS(on) product  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
● 100% UIS tested  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
TO-220-3L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP60T12A  
NCEP60T12A  
TO-220-3L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDS  
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
120  
100  
ID  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
480  
Maximum Power Dissipation  
180  
W
PD  
Derating factor  
1.2  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Drain Source voltage slope, VDS ≤48 V,  
Reverse diode dv/dt, VDS ≤48 V, ISD<ID  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
dv/dt  
500  
50  
V/ns  
V/ns  
℃
15  
dv/dt  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

中文翻译

下载PDF

与NCEP60T12A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP60T12AD NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T12AK NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T12K NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T12T NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T15AG NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T15G NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T18 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T18A NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T18D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP60T20 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以

与NCEP60T12A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证