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NCEP60ND60G

更新时间： 2024-09-18 17:01:51

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	602K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCEP60ND60G 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP60ND60G

NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description

General Features

● V_DS=60V,I_D=55A

The NCEP60ND60G uses Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely low

combination of R_DS(ON)and Q_g. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

R_DS(ON)=7.8mΩ (typical) @ V_GS=10V

● Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

● Very low on-resistance R_DS(on)

● 150 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

Application

● DC/DC Converter

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

●

Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

PiTnoApsVsiegwnment

Schematic Diagram

DFN 5X6

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCEP60ND60G

DFN5X6-8L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

VGS

Drain Current-Continuous (Silicon Limited)

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

38.9

I_D

I_D(100℃)

I_DM

170

Maximum Power Dissipation

P_D

Derating factor

0.56

W/℃

℃

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Operating Junction and Storage Temperature Range

E_AS

320

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

1.78

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V3.0

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