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NCEP60ND30AG

更新时间： 2024-11-19 15:19:39
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 310K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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http://www.ncepower.com  
NCEP60ND30AG  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP60ND30AG uses Super Trench technology that is ● VDS =60V,ID =30A  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
RDS(ON)=12mΩ (typical) @ VGS=10V  
DS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
R
switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
rectification  
PinAssignment  
Schematic Diagram  
DFN 5X6  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P60ND30AG  
NCEP60ND30AG  
DFN5x6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
60  
±20  
V
V
VDS  
VGS  
30  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
23.2  
120  
A
A
Maximum Power Dissipation  
40  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.32  
135  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
3.13  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP60ND60G NCEPOWER

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 		????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET
NCEP60T12A NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
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