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NCEP4060EQ

更新时间: 2024-09-16 17:01:27
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 345K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCEP4060EQ  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP4060EQ uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency  
switching and synchronous rectification. It is ESD protested.  
General Features  
VDS =40V,ID =60A  
Schematic Diagram  
RDS(ON)=3.1m(typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=4.1m(typical) @ VGS=4.5V  
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
Top View and Pin Assignment  
100% UIS tested  
ESD protection : HBM Class 2  
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
Top View  
Bottom View  
100% Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP4060EQ  
NCEP4060EQ  
DFN3.3X3.3-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
±20  
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current (Package Limited)  
Maximum Power Dissipation  
60  
42.3  
260  
48  
A
A
ID  
ID (100)  
IDM  
A
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.38  
288  
W/℃  
mJ  
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  

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