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NCEP30T21GU

更新时间： 2024-09-14 15:19:19
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 725K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP30T21GU  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP30T21GU uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
●VDS =30V,ID =210A  
RDS(ON)=0.72mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=0.85mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
●Very low on-resistance RDS(on)  
●150°C operating temperature  
Application  
● Pb-free lead plating  
●DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
PDFN 5X6-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P30T21GU  
P30T21GU  
DFN5X6-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
210  
160  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
840  
A
Maximum Power Dissipation  
180  
W
PD  
Derating factor  
1.44  
1800  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.69  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V4.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP30T22GU NCEPOWER

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