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NCEP30PT16G

更新时间： 2024-11-21 17:01:55
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 325K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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http://www.ncepower.com  
NCEP30PT16G  
NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP30PT16G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
● VDS =-30V,ID =-160A  
R
R
DS(ON)=2.3mΩ (typical) @ VGS=-10V  
DS(ON)=3.3mΩ (typical) @ VGS=-4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
Application  
● 100% UIS tested  
●DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% ∆Vds TESTED!  
DFN 5X6  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP30PT16G  
NCEP30PT16G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
-160  
-112  
-640  
150  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
1.2  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
1076  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
0.83  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP30T12G NCEPOWER

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