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NCEP3065BQU

更新时间： 2024-11-25 15:19:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 288K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP3065BQU  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP3065BQU uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
General Features  
● VDS =30V,ID =65A  
Schematic Diagram  
RDS(ON)=1.75mΩ (typical) @ VGS=10V  
R
DS(ON)=2.0mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
DS(ON)=2.6mΩ (typical) @ VGS=2.5V  
R
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Pin Assignment  
● 100% UIS tested  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
Top View  
Bottom View  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP3065BQU  
NCEP3065BQU  
DFN3.3X3.3-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±12  
VGS  
65  
45.5  
260  
55  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current(Note 1)  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.44  
260  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
2.3  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP3065QU NCEPOWER

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