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NCEP15T14T

更新时间: 2024-11-25 17:01:39
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
9页 2049K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

NCEP15T14T 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP15T14T  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP15T14T uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency  
switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS =150V,ID =140A  
RDS(ON) <6.4mΩ @ VGS=10V  
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
175 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
100% UIS tested  
TO-247 top view  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP15T14T  
NCEP15T14T  
TO-247  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
150  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
140  
100  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
ID (100)  
IDM  
A
560  
A
Maximum Power Dissipation  
320  
W
PD  
Derating factor  
2.1  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
EAS  
1296  
-55 To 175  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.47  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v3.0  

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