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NCEP15T14LL

更新时间: 2024-11-21 15:19:11
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 372K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP15T14LL  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The series of devices uses Super Trench technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
VDS =150V,ID =170A  
DS(ON)=5.0m, typical@ VGS=10V  
R
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
175 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
Application  
100% UIS TESTED!  
DC/DC Converter  
100% Vds TESTED!  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TOLL  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP15T14LL  
NCEP15T14LL  
TOLL  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
150  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous (TC=25)  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Drain Current-Continuous (TA=25)  
Pulsed Drain Current (Note 1)  
170  
120  
16  
A
ID (TC=25)  
ID (TC =100)  
ID (TA=25)  
IDM  
A
A
680  
380  
3.75  
2.5  
A
Maximum Power Dissipation (TC=25)  
Maximum Power Dissipation (TA=25)  
Derating factor  
W
W
W/℃  
mJ  
PD (TC=25)  
PD(TA=25)  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
EAS  
1300  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJC  
RθJA  
0.4  
40  
/W  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
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