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NCEP1545G

更新时间: 2024-11-21 15:19:27
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 448K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP1545G  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP1545G uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
VDS =150V,ID =45A  
DS(ON)=24m(typical) @ VGS=10V  
R
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% UIS TESTED!  
100% Vds TESTED!  
rectification  
DFN 5X6  
Top View  
Schematic Diagram  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P1545G  
NCEP1545G  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
150  
±20  
VGS  
V
ID  
ID (100)  
IDM  
45  
A
A
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
31.8  
180  
A
Maximum Power Dissipation  
PD  
110  
W
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.88  
W/℃  
mJ  
EAS  
200  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55 To 150  
Thermal Characteristic  
Thermal Résistance, Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.14  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
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